近年来，低维介观系统中的自旋电子输运及伴随自旋电子输运过程的热效应成为新的国际性研究课题之一。基于此，本论文研究了存在电声子耦合的介观低维系统中的自旋输运和量子相干等现象。论文介绍了电声子解耦合的几种近似方法。本文主要包括以下内容：　　 利用非平衡格林函数方法，通过第三端耦合电极对包含电声子耦合的分子晶体管态密度进行了理论模拟测量。研究结果表明：温度、分子晶体管门电压和第三端电极与分子晶体管耦合强度对分子晶体管态密度测量有很大的影响，温度越高及第三端电极与分子晶体管耦合强度越强，理论测量结果偏离分子晶体管态密度越大；同时，分子晶体管的门电压对分子晶体管态密度分布有重大的影响。　　 采用单模声子的分子晶体管模型，计算了电声子耦合对隧穿相位的影响。研究结果表明：在低温、低电极耦合强度下单模声子引起的隧穿相位移显现了具体的声子参与隧穿过程：随着温度和电极耦合强度的增强，隧穿相位移显现出的声子参与隧穿过程变得逐渐模糊至不可分辨；隧穿相位移中清晰可辨的声子模为探测声子频率、电声子耦合强度提供了一种途径。另外，笔者给出了不同电声子耦合强度对退相干的影响。　　 器件的热积累是器件高度集成化道路的障碍。介观低维系统中的电声子相互作用是系统发热的根源。研究介观低维系统中电声相互作用相关问题有助于理解、认识和解决这些问题。