In-N共掺杂ZnO薄膜的制备及特性研究

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半导体材料ZnO因其在蓝紫外发光二极管、激光二极管等方面特有的潜在光电应用,引起了人们的广泛关注。ZnO是一种具有宽禁带半导体材料,室温下的带宽为3.36eV,激子束缚能为60meV,高于室温热能26meV,也远高于其它半导体材料,如已经在蓝紫光波段发光器件方面得到广泛应用的GaN材料,其激子束缚能为25meV。由于ZnO材料存在受主元素固溶度偏低、自补偿作用以及深能级复合中心缺陷等因素,尽管有很多关于ZnO薄膜p型导电和p-n同质结的报道,但是实现可控、高性能的p型ZnO薄膜依然是一个难点。在各种
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