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氧化镁材料具有高二次电子发射系数，在电子器件中有着广泛的应用。近年来，准一维纳米材料成为材料领域研究的热点，其中其二次电子发射特性研究也受到关注。本论文从探索准一维材料的二次电子发射特性出发，开展了氧化镁准一维纳米材料的制备技术及其二次电子发射特性研究。主要工作包括：利用热蒸发沉积技术，成功地在硅衬底上制备出了氧化镁纳米棒薄膜；建立了基于扫描电子显微镜系统的二次电子发射测试系统；利用该测试系统，对多种形貌的氧化镁纳米棒薄膜进行了二次电子发射特性测试，发现氧化镁纳米棒薄膜的最高二次电子发射系数达到7．5，高于已报道的多晶氧化镁薄膜的最高二次电子发射系数，并且其二次电子发射稳定性好。同时还研究了氧化镁纳米棒薄膜的二次电子发射的机制。