宽禁带半导体材料ZnO以其优良的光学和电学性能引起人们广泛的研究兴趣。随着ZnO颗粒尺度的不断减小，其量子限制效应越来越明显；ZnO的自组织行为，使人们可以获得许多形态各异，特殊用途的低维材料及其器件。本论文全面概述了ZnO和低维材料的性质、特点、制备方法及研究发展现状，特别是对ZnO低维材料的研究现状和发展前景作了全面的介绍。并采用水热法成功制备了管状ZnO。并通过大量的实验科学分析，证明其生长情况与生长条件（温度，浓度，保温时间，悬挂方式，填充度等）密切相关，得到了水热条件下管状ZnO的最佳生长工艺条件及其生长过程中各个阶段的具体形貌特征。 对ZnO六棱微米管的性能进行初步探索，经过大量、反复的分析测试，证实了Au/ZnO形成的金属与半导体的接触是欧姆接触，且电阻较小，约为27Ω；n-ZnO/p-Si异质结，正向和反向电流均随外加电压按指数函数关系增大，符合突变反型异质结的扩散模型的正反向势垒的情形；在波长为365nm的紫光在照射下，异质结出现光生伏特效应，可作为紫外光探测器；频率小于107Hz时，管状ZnO的介电性能保持不变，具有很好的高频响应特性；室温下，在波长为380nm处有一较强的光致发射峰，随着温度的降低，谱峰发生蓝移；实验结果表明ZnO六棱微米管在200℃左右对乙醇、氢气等有良好的气敏性能，且较薄膜型ZnO气敏传感器的工作温度（约450℃）大大降低。