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p型掺杂宽禁带半导体β-Ga2O3的第一性原理研究

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：beibeigou

【作 者】

：

严崇勇 

【出 处】

：

西安电子科技大学

【发表日期】

：

2021年01期

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