硫化铅晶体的能量带隙为0.41eV,可以探测到波段为3μm的红外辐射,是常用的近红外探测器材料之一。当硫化铅晶体的粒径尺寸缩小到几到几十纳米,与其波尔半径相似时,会发生量子限域效应,硫化铅原本连续的能级发生分立,并产生了一系列的奇特的光电效应:更高消光系数,吸收峰位可调谐和更宽的吸收谱等。硫化铅量子点由于制备方法简单、成本低廉、探测灵敏度高、吸收峰位可调谐等优点,被研究人员视为新一代的近红外探测器材料。本文主要研究内容为基于硫化铅量子点材料的近红外光电二极管的制备和优化。对硫化铅量子点湿法工艺中的成膜质量进行了研究,制备了近红外的光电探测器并对器件性能进行了测试和优化。取得的成果如下:（1）探究了硫化铅量子点在不同溶剂体系下旋涂的成膜性,发现过滤次数和提纯次数的多少都会对量子点成膜效果产生影响。（2）制备了基于硫化铅量子点材料的光电导探测器,器件灵敏度可以达到486 mA/W,比探测率为2.67×10¹¹Jones。（3）制备了基于硫化铅量子点材料的光电二极管,器件灵敏度为0.262 A/W,900nm的红外光外量子效率达到36.1%。但是在外加电压大于1V时漏电情况较为严重,影响器件的性能。（4）对硫化铅量子点光电二极管进行了分析,为解决漏电流问题引入了PVK作为阻挡层对暗电流进行了限制,使得暗电流与之前相比下降了两个数量级。对由于量子点薄膜配体交换而导致的薄膜龟裂问题进行了探究性实验并发现溶剂的挥发性、粘滞度、极性、清洗方式等因素都会对薄膜质量产生影响,通过优化溶剂和调控旋涂气氛等方式提高了薄膜质量。本文对硫化铅光电二极管的制备方法与制备工艺进行了优化研究,探索了硫化铅量子点薄膜质量的优化方式,为以后硫化铅量子点光电探测器的研究提供给了思路。