金刚石具有独特的物理化学性能，化学性质稳定，硼掺杂金刚石(BDD)薄膜不仅是宽禁带的半导体材料，同时又具有优异的物理和化学特性，因而在电子器件与光电子器件领域的应用具有极大潜力。　　本文采用HFCVD的方法，以氢气和甲烷为反应气体，乙硼烷作为硼掺杂源，在Mo(Re)合金基体上沉积金刚石膜，研究了硼烷甲烷比例、沉积时间对金刚石薄膜结构性质的影响。根据Mo(Re)合金箔材上生长掺硼金刚石薄膜制成场发射器件的要求，对箔材表面生长薄膜的残余应力状态、以及后处理工艺改善薄膜质量、降低残余应力作了研究，结果表明:　　(1)碳原子进入Mo(Re)体心立方的晶体的间隙中造成晶格膨胀，Mo(Re)合金基体在沉积金刚石之前生成了Mo2C脆性过渡层，Re以替代式固溶体的形式存在;　　(2)随沉积基体温度升高，薄膜致密度增大;当基体温度上升至700℃晶粒尺寸分布均匀，0.36±0.03μm，且大多呈现(111)面，且晶粒密度较大，达8.0/μm2。热应力随沉积温度升高单调递增，FWHM随沉积温度的升高呈现先增后减的趋势;当沉积温度为700℃时，质量最好，FWHM为14.5 cm-1。薄膜中存在2.0GPa的压应力。　　(3)在氢气气氛中对金刚石薄膜进行退火处理，薄膜中无定型碳、石墨成分相对含量下降37.6％，薄膜质量有一定程度的提升;　　(4)过氧化氢氧化处理对薄膜质量有较大影响:薄膜中69.0％-73.0％Wt的trans-PA被氧化处理掉;内部压应力得到弛豫、释放后残余应力仅为0.06GPa。　　(5)当硼碳体积比V(B2H6)/V(CH4)增加时，晶粒半径变化呈现变小趋势。少量的硼掺杂导致晶粒细化。当V(B2H6)/V(CH4)高达3％时，薄膜缺陷增加，金刚石特征峰宽化，向低波数漂移，在500cm-1和1200cm-1位置出现了宽峰，质量下降。　　(6)进气的硼碳比V(B2H6)/V(CH4)与实际掺入金刚石结构中的B的量存在一个阈值的关系:在V(B2H6)/V(CH4)＜3％时，薄膜的电阻率随着硼烷浓度的增加急剧下降;V(B2H6)/V(CH4)＞3％时，电阻率下降趋势减小。　　(7)随沉积时间增长，晶粒增大趋势明显，当沉积时间达到60min时，形成均匀较致密的金刚石膜，具有大的有效电子发射面积，同时满足单位面积有效发射微尖面密度较大，尺寸分布的方差较小的要求。