目前,纳米电子器件的性能主要依赖于所使用的半导体材料。为了提升半导体在高精尖领域的应用,现代光电纳米器件所使用的材料正逐步向更宽带隙方向发展。氮化硼（BN）作为第三代半导体不仅拥有超宽禁带、高饱和电子漂移速度等优越的物理性质,而且具备抗辐照、宽工作温度范围等稳定的化学性质,是制作应用于特殊环境下的高效节能光电器件的新型材料。氮化硼纳米管（Boron Nitride Nanotube,BNNT）除继承了 BN良好的性质外,自身还显示出独特的优势,即可掺杂PEDOT:PSS高分子导电聚合物制备出BNNT复合薄膜从而获得优良的实验载体。因为接触电阻会影响纳米器件的噪声频率特性、输出功率、热稳定性及可靠性,所以课题首次采用磁控溅射技术制备欧姆接触电极,借助探针台测量不同种类氮化硼纳米薄膜的接触电阻。数据处理后算得比接触电阻率分别为1.59 × 10^-2Ω·cm²,1.19 × 10^-3Ω·cm²,实验表明复合薄膜掺杂浓度越高,比接触电阻率越小。电极退火处理再次测量计算,比接触电阻率降至6.49 × 10^-3Ω·cm²,验证了退火能有效的改善欧姆接触。通过Materials Studio研究了接触界面的能带结构、状态密度,对于契合“中国制造2025”、“互联网+”等国家重大战略目标,抓住我国“换道超车”的发展机遇实现国家最新发展战略具有重要意义。