随着晶体管特征尺寸的不断缩小和集成电路集成度的不断增大,传统的在金属电极和硅基底的界面处生成自对准硅化物的技术已经达到了其降低金属/半导体接触电阻的极限,而在金属与半导体之间插入一层薄的电介质形成金属-界面层-半导体（metal-interfacial layer-semiconductor,MIS）结构的方法则体现出了很大的优越性。本文回顾了降低接触电阻的工艺发展历程与趋势,综述了MIS结构的最新研究进展。基于堆栈结构中金属感生隙态模型、界面偶极子层模型和固有电荷模型对于肖特基势垒调节的作用机理,综合电场、物理场和界面特性理论等研究了MIS结构极低电阻接触机理,建立了简易最低比接触电阻率的计算模型,利用该物理模型进行计算模拟,探索了界面层材料降低接触电阻的规律。基于中芯国际集成电路制造有限公司12寸晶圆、16/14nm节点的生产工艺对MIS结构降低接触电阻的规律进行了实验验证,研究不同工艺条件下的薄膜淀积效果,对形成的界面层薄膜的特性进行表征和分析,结果表明,原子层沉积法可以制备超薄纳米量级TiO₂和Al₂O₃电介质界面层,由其构成的MIS堆栈结构的最低电阻达到了NiSi的水平。此外,初步探索了特殊元素掺杂降低接触电阻的规律和salicide性能优化改善的可能性与方法。