本文采用不同的热处理工艺,研究了氧沉淀对电池性能的影响。并通过高温扩散的方法在硅衬底内引入不同量的Cu、Fe、Ni金属杂质,研究了这三种金属杂质对电池性能的影响。对单晶硅片做750℃～1050℃3h单步退火后,在硅衬底中生成的氧沉淀很少,电池效率下降幅度不大。经过低-高温两步退火会在单晶硅基体内引入大量氧沉淀,电池效率大幅降低。高温短时间退火无论有无预处理都不会在硅基体内引入大量氧沉淀。低温预处理能够促进单晶硅中氧沉淀的形成,其中650℃预处理影响最大。随着退火时间延长电池性能下降速度减缓。单晶硅在经过高-低-高三步退火后电池性能有一定的提高。多晶硅中绝大部分氧沉淀都聚集在晶界和位错附近,当达到一定密度的时候电池漏电流急剧增加。750℃～950℃3h单步退火电池性能降低幅度不大,1050℃3h高温退火后电池性能下降很快。低温预处理对多晶硅的影响很小。多晶硅在经过高-低-高三步退火电池性能并没有得到改善,吸杂效果不明显。当铜、镍和铁杂质对电池性能有很大影响。金属杂质含量较低时主要破坏电池的结区,含量较高时对电池性能的影响主要体现在硅衬底中增加体内复合。实验结果表明,金属杂质对电池性能的影响存在一个临界值,当杂质浓度低于这个临界值时,电池性能的变化不大。当杂质浓度超过这个临界值时电池性能就急剧下降。