热电发电技术利用材料内部载流子的运动直接实现热、电能量的相互转换,该转换过程无化学反应发生,不产生任何环境污染,是一种十分理想的新型能源利用技术。热电发电器件的基本工作单元由一对p型和n型热电材料组成,该器件的能量转换效率取决于材料的热电性能。因此,开发高性能p型和n型热电材料是提高热电发电器件能量转换效率的关键。研究表明,硒化锡（SnSe）是一种极具潜力的热电转换材料,当室温下载流子浓度达～1019 cm-3时,SnSe塞贝克系数值大约是其他热电材料的2～6倍。然而,中低温下SnSe载流子浓度的不足导致其热电性能不理想,无法满足低温区热电发电的应用需求。掺杂作为提升载流子浓度的有效手段,广泛应用于半导体材料的性能优化。为提升SnSe中载流子浓度,本文基于第一性原理计算对SnSe中p型和n型掺杂特性进行了研究,从缺陷理论角度,阐释了外掺杂缺陷性质对硒化锡中载流子浓度的影响规律,为获得高性能的p型和n型SnSe热电材料提供理论指导。本文成果如下:（1）针对SnSe中低温区载流子浓度低的问题,通过SnSe本征缺陷性质计算,分析不同化学势条件下SnSe中本征缺陷对其载流子传导的影响。理论计算结果表明,在贫锡条件下,SnSe显示出良好的p型半导体特性,其主要原因来自其自发产生的锡空位对空穴载流子的贡献,本征空穴载流子浓度为6.34×1017 cm-3;（2）为提高SnSe中空穴浓度,获得室温下高性能的p型SnSe热电材料,通过p型掺杂元素的三元相图及其外掺杂缺陷性质计算,确定了SnSe的p型可掺杂范围。计算结果表明贫锡条件抑制施主缺陷的形成,更有利于SnSe的p型掺杂。p型掺杂元素中Na是掺杂效率最高的p型掺杂元素,掺杂后空穴浓度提高至1.24×1019 cm-3;（3）为提高SnSe中电子浓度,获得室温下高性能的n型SnSe热电材料,通过n型掺杂元素的三元相图及其外掺杂缺陷性质计算,确定了SnSe的n型可掺杂范围。计算结果表明富锡条件抑制受主缺陷的形成,更有利于SnSe的n型掺杂。n型掺杂元素中Br是掺杂效率最高的n型掺杂元素,掺杂后电子浓度提高至1.62×1018 cm-3。综上所述,本文通过第一性原理计算对SnSe中本征及外掺杂缺陷性质进行研究,筛选出掺杂效率最高的p型和n型掺杂元素,为其实现中低温下高效热电转化提供理论基础和指导。