鉴于终端设计在功率晶体管设计中的重要地位,本文主要对目前广泛应用的终端结构的研究,探讨它们的优缺点。结合本公司特有的半绝缘掺氧多晶硅(SIPOS)表面钝化膜层,通过实验对比测试的方法,优选出适合本公司掺氧多晶硅钝化结构的理想终端设计结构,形成统一的设计规则。本文的工作共进行了三个阶段的试验,采用TANNER计算机辅助设计软件,每次都在一块光刻掩膜版上同时制作多种结构进行对比,通过实际流片、在线测试以及产出后测试,特别是部分重复试验和提高标准后的测试,成功地解决了目前生产中遇到的一些产品比如型号为4**2等的三角双线、4**8等的高温打火以及成品三极管高温储存后参数变化率等特有的问题,找到了一些较理想的适合于掺氧多晶硅钝化的终端结构,在提升产品性能,提高产品可靠性方面起到了关键的作用。在场限环的设计中研究了“宽深比”对BVcbo反压大小的重要影响,对BVcbo反压大小影响的原因作了初步解释,最终通过实验给出了优化的“宽深比”,为以后进一步研究提供参考。