球形超细铜粉是制造多层陶瓷电容器（MLCC）的重要材料。本论文旨在探索和研究MLCC用超细铜粉制备的新方法。通过调研有关控制合成MLCC电极用铜粉的方法的文献,进行了葡萄糖预还原—氢气还原制备铜粉的新工艺研究;进行了液相还原制备超细铜粉的两步还原新工艺研究;进行了晶种法控制铜粉粒径的研究;为了提高铜粉的抗氧化性,最后对铜粉的SiO₂-B₂O₃系复合薄膜包覆表面改性进行了研究。具体内容归纳如下:通常Cu₂O的制备均采用添加剂（明胶、PVP、PEG 400、TritonX-100等）控制其粒径与形貌,许多制备方法采用高能射线辐照、加入晶种或水热法等。在本研究中,未使用任何添加剂,仅通过沉淀过程中加料方式与温度的控制,制备了粒径均一,分散性良好的球形和方形Cu₂O粒子,比添加剂控制更为经济、简便。Cu₂O粒径在0.5～2μm之间,Cu₂O粒子中的杂质元素含量及粒径随反应温度和反应物浓度的变化而呈规律性的变化。在氢气流中将Cu₂O粉末在200～270℃还原后,Cu₂O中夹杂的葡萄糖绝大部分被除去。所得的铜粉粒子保持了Cu₂O粒子原有的形貌与粒径分布特点,粒径略有缩小,振实密度约2g/cm³,分散性良好,杂质含量少于1%。在液相两步还原法中先将Cu（Ⅱ）还原至Cu₂O,再通过两步加入水合肼将Cu₂O还原至金属铜粉。水合肼分两部分分别在较低温度（成核阶段）和较高温度（长大阶段）时加入。实验结果表明,两步还原、分两步加入水合肼和控制水合肼加入速度均有利于铜颗粒的均匀生长;Cu₂O在低温下与水合肼混合时基本上不被水合肼还原,在升温阶段可被还原并生成铜晶核;铜晶核在长大阶段适宜的温度为84℃。两步水合肼的添加量不同导致最后所得超细铜粉的粒径分布不同;两步加入水合肼的实质是将铜颗粒的成核与长大过程分开。适量PVP的加入有利于铜粉表面光洁,同时有效防止超细铜粉粒子的团聚;其他添加剂的添加能明显改变超细铜粉粒子的形貌。在优化条件下制备的铜粉粒径为1.0～2.5μm,外形为类球形,具有振实密度高,纯度高,分散性良好的特点。适于制备MLCC电极。采用晶种生长法,制备了粒径较大的铜粉,铜粉粒径大小决定于铜晶种及Cu₂O用量的多少。反应温度对铜粉的分散性等有显著影响,适宜的反应温度为60℃左右;分散剂PVP对铜粉的分散性也有一定影响。在铜粉的表面改性中,采用硅酸已酯在硼酸溶液中水解使铜粉表面包覆一层SiO₂-B₂O₃薄膜以提高铜粉抗氧化性。实验表明:硅酸乙酯用量越大、温度越高、反应时间越长,改性铜粉的高温抗氧化性越好;微量的H₃BO₃能明显提高铜粉的高温抗氧化性;水和氨水的用量对铜粉的高温抗氧化性影响不明显;湿铜粉洗涤后,抗氧化效果变差;用异丙醇溶解硼酸比用乙醇溶解硼酸,改性铜粉的抗氧化效果更好。在优化的工艺条件下,改性铜粉比铜粉原样的氧化开始温度提高了110℃,其烧结温度也大大降低,而且改性后的铜粉仍具有良好的导电性,表明表面包覆改性铜粉可用于制备MLCC电极。