本论文分别在高氧压和高压的条件下,利用助熔剂方法,成功地合成了一系列的汞系铜氧化物高温超导单晶体和氧化亚铜单晶体。在高氧压的条件下,利用助熔剂法制备了高品质的具有单层Cu-O面的汞系铜氧化物HgBa₂CuO_4+δ （Hg1201相）超导单晶体和具有双层Cu-O面的汞系铜氧化物HgBa₂CaCu₂O_6+δ （Hg1212相）超导单晶体,并且在Hg1201相中成功实现了非磁性离子Zn对Cu的取代,生长出具有不同Zn取代浓度（x = 1%、3%、5%）的HgBa₂Cu_1-xZn_xO_4+δ超导单晶体,同时对高品质的Hg1201相单晶体进行了一系列的电学性质与磁学性质研究;利用高压条件下氧化亚铜歧化反应的逆反应,在不使用任何无机和有机液体试剂的情况下,高产率地合成了外形为截棱八面体的氧化亚铜晶体,开辟了氧化亚铜绿色合成的新路线,并对其生长机理进行了详尽的讨论。第一章主要介绍了超导的发展与理论,概述了高温铜氧化物超导体的结构、元素替代效应和高温超导的微观经典理论等;第二章简述了汞系铜氧化物超导体的晶体结构、制备方法以及掺杂性质和压力效应等;第三章主要包括对Hg1201相、Hg1212相和不同浓度（1%、3%、5%）的Zn²⁺取代Hg1201晶体生长过程的研究;在第四章中,对高品质的Hg1201晶体进行了刻蚀和热处理,进一步研究了其磁学性质、电学性质;第五章对氧化亚铜的研究现状进行概述后,提出了一种氧化亚铜的绿色化学合成方法,并对其生长机制进行了深入讨论。