随着GeSi外延技术的发展，GeSi HBT的性能远远优于Si BJT，并在某些方面优于AlGaAs/GaAs HBT、GaAs MESFET，所以GeSi HBT具有广阔的应用前景。器件被广泛应用的前提是其可靠性问题，而当前的研究主要集中在提高器件性能参数上，对其可靠性的研究还很少。本文对GeSi HBT的可靠性问题进行研究。首先本论文提出了一种新型的GeSi HBT工艺流程，采用这种流程极大地改善了器件稳定性、可靠性及其性能。为了高效地评估器件的可靠性，我们建立并优化了器件的可靠性实验系统与数据分析系统，这种系统具有方便快捷，准确度高的特点。本论文采用两种反偏电应力方法考察器件的可靠性，一种为传统的OC应力（集电极开路，发射结反向偏置）方法，另一种为新的方法――FC应力（集电结正向偏置，发射结反向偏置）方法。在实验中我们发现对这两种应力，器件的退化与注入的热载流子的数量以及能量有关，FC应力方法可以加速器件的退化，缩短评估器件寿命的时间。为了考察器件的热稳定性，我们还对器件进行了热应力（即高温存贮）以及热电组合应力实验，发现热应力使器件特性参数发生波动与漂移，热电组合应力进一步加速器件的退化。为了解释器件的失效机理，我们建立了器件的失效模型，并成功地解释了实验现象。在实验中我们还观察到，在高VCE和大电流下，重掺杂基区GeSi HBT出现负阻现象，我们对这一现象进行了新的解释，认为这是由热电负反馈导致的。本论文的研究结果有助于对GeSi器件和电路的长期可靠性失效机制的分析，又能对器件结构的设计提供有价值的反馈。