基于GaN基微发光二极管（μLEDs）阵列的微显示具有很高的应用前景,其与传统的LCD、OLED相比,拥有着高效率,低功耗,超高解析度,超快响应速度,宽可视角度以及无缝拼接可实现任意大小尺寸显示等优势,因此,被认为是一种“次世代显示技术”。然而随着Micro-LED尺寸从百微米下降至10微米甚至几微米时,等离子刻蚀带来的侧壁损伤成为降低发光效率的重要影响因素。而且随着Micro-LED尺寸进一步下降,外延片生长过程中所形成的位错缺陷也将成为影响Micro-LED发光效率所不可忽视的影响因素。本文一方面从电致发光角度研究了 Micro-LED的工艺制备流程,详细论述了Micro-LED芯片Pixel整体发光、Pixel 3 x 3阵列发光及Pixel个体发光的制备流程,包括清洗、光刻、镀膜、刻蚀、测试等操作流程,其中对于制备Micro-LED台面结构所用的刻蚀方式为电感耦合等离子体（ICP）刻蚀。制备好的Micro-LED芯片通过半导体参数测试仪测量得到I-V曲线以及漏电流曲线。另一方面也从光致发光和微观结构分析的角度对Micro-LED侧壁损伤的具体影响展开了论述,通过扫描电子显微镜（SEM）显示了随着刻蚀时间的增加,小尺寸Micro-LED的台面形貌发生了明显的变形。通过高分辨率透射电子显微镜（HR-TEM）显示了侧壁表面的物理缺陷,氧等离子等杂质原子的富集,等离子体引起的侧壁表面约2 nm的晶格无序,刻蚀过程量子阱暴露部分的破坏。本文也提出了通过激光共聚焦荧光显微镜（LSCM）和光致发光（PL）的测试手段评价侧壁损伤对Micro-LED发光性能的影响,结果表明未经处理的Micro-LED台面发光不均,发光强度在台面边缘5μm处开始明显下降,边缘发光波长也有所偏移。最后我们优化了侧壁钝化工艺,以四甲基氢氧化铵（TMAH）处理和SiO2钝化相结合的方式有效提高了 Micro-LED的发光效率。处理之后Micro-LED侧壁单晶原子有序排列,没有出现明显的晶格损伤痕迹,Micro-LED边缘发光强度提高了 4倍有余,边缘3μm处发光强度接近于台面中心处的发光强度,台面发光比较均匀。这些结果对于未来降低侧壁缺陷以提高Micro-LEDs发光效率有借鉴意义。对于晶体缺陷所造成的影响,我们认为,当μLED尺寸小至10μm以下时,位错将对其性能产生不可忽视的影响。通过透射电子显微镜（TEM）分析发现穿透位错从n-GaN层一直延申到样品表层的p-GaN层,并在量子阱处形成V型坑,V型坑处In组分含量相较于量子阱其他部位有所改变,这会导致发光强度的变化。通过阴极发光（CL）图像和光谱发现作为非辐射复合中心的位错点处发光强度低于无位错点处的发光强度,降低了约20%至50%。随着μLED尺寸继续降低,器件间位错个数涨落也将变得越发显著,芯片间的发光强度的不均匀性将越发突出,这都将给巨量转移等芯片工艺带来巨大的难题。从这个意义上讲,极低缺陷密度GaN的采用可能是未来小尺寸μLED工艺能够不断缩微化的必须。