随着电子元器件小型化和高能密度存储器件的需求，电子行业对材料的介电常数要求越来越来高，需要其达到103以上，同时要求介电损耗低于0.01。传统的介电材料如铁电基钙钛矿材料、Ca3Cu3Ti4O12、(Li，Ti)共掺NiO等由于温度稳定性不够好或者材料的损耗太大，而无法走向实用。后来，Liu等人发现了(In，Nb)共掺的TiO2可以避免这些缺陷，并提出的钉扎电子-缺陷偶极子模型来解释这个新的巨介电现象。在施主和受主共掺的基体中，电子被局限在缺陷簇中，因此形成巨介电现象，获得了良好的温度和频率稳定性。以这个理论为基础，论文对ZnO和SnO2陶瓷掺杂进行了研究。　　(1)通过施主和受主共掺，制备了Zn1-2x(Li，In)xO(x=0.25％，0.50％，0.75％，1.00％，1.50％和2.00％)陶瓷。发现当x=0.5％时，Zn0.99(Li，In)0.005O陶瓷样品介电常数达到3800，损耗为0.11(11％)，通过冷等静压后的样品介电常数可以达到6200。针对陶瓷样品室温段的巨介电的起因，发现了主要是，其中氧空位起着主要作用，氧空位外电场下在晶格内跳跃会形成极子效应;其中氧空位来源与Li、In掺杂和烧结中氧缺失。氧空位在不同温度区域分别以单价态和双价态的形式存在。不同的缺陷聚集在晶界附近，形成晶界层效应，属于Maxwell-Wagner极化引机制。因此，巨介电特性是由缺陷的跳跃极化和晶界层效应引起的。　　(2)通过改变施主元素和调节施主、受主的掺杂比例，制备Zn1-x-y(Lix，Aly)O。发现当(x，y)=(0.75％，0.75％)时，Al在晶界处出现明显的富集。Li、Al掺杂含量变化的情况，在不同烧结温度1473-1548K下，样品的介电常数均达到103，部分超过104，结合样品的介电损耗。发现当(x，y)=(0.33％，0.67％)，1kHz时，介电常数达到9862，介电损耗为0.16。巨介电现象主要由缺陷跳跃极化、晶界层效应和钉扎电子-缺陷偶极子效应引起。在外电场的作用下，氧空位及其它荷电缺陷（如LiZn、VnZn等）、在晶格中发生跳跃，形成极子效应;缺陷在晶界附近富集，形成晶界层效应，属于Maxwell-Wagner极化。同时，Li、Al原子掺入到晶格，陶瓷内部的自由电子浓度升高。结合ZnO基体中的缺陷，会形成类似于Al·Zn-LiZn和Lit+Znt等缺陷团簇，捕获自由电子，形成钉扎电子-缺陷偶极子效应。综上所述，Li、Al共掺的ZnO的巨介电起因由缺陷的跳跃极化、晶界层效应和钉扎电子-缺陷偶极子效应三部分组成。　　(3)通过改变施主的掺杂元素和调节掺杂比例，制备了Sn2-2x(Nb，M)xO(M=In、Ga、Nb、Al，x=0.5％或1.5％)陶瓷。没有明显的二次相生成，氧化锡仍保持着原有金红石结构; Nb、Al等元素的分布较为均匀，没有出现明显的偏析现象。同时，当Nb、Al掺杂含量达到1.5％，烧结温度为1693 K时，介电常数达到2369，介电损耗达0.49。通过Nyquist分析，材料巨介电特性和晶界层效应有关。介电谱中均没有出现明显的台阶和弛豫峰，还需要更多的研究。