接近式紫外光刻是UV-LIGA工艺的关键工艺之一。紫外光准直性低,而且存在衍射效应,在光刻过程中,由于间隙的存在,使得衍射效应更为明显,从而造成在光刻图形转移的过程中,得到的图形在二维的形状上有一定的偏差。针对曝光形状失真的问题,本文分两种情况进行分析:对于简单的小尺寸图形,采用模拟退火算法作为逆向算法进行全局优化;对于复杂的大尺寸图形,采用波前分割的方法对掩模图形上的波前进行划分,得到掩模图形上对场点光场影响最大的波前区域,并应用模拟退火算法对掩模特征处进行局部优化。论文的主要工作可以分为以下几个部分:1.基于模拟退火算法的逆向光刻模型本文采用了反向光刻技术,用逆向的思维来解决掩模版的设计问题,通过对掩模版图形的整个设计区域进行计算来求解。求解的过程中计算效率不受目标图案复杂度的影响,只受光学系统的相关性质的影响,目标图案在求解过程中仅仅只是收敛的判据。由于逆向算法可以遍历完整的掩模版图形函数解空间,因此有找到全局最优解的可能性。采用模拟退火算法作为逆向算法,对于简单的小尺寸图形直接进行全局修正,对于复杂的大尺寸图形,要先通过选取有效的影响区域,然后再用模拟退火算法对有效区域进行修正。2.掩模有效影响区域的选取为了解决早期的模拟退火算法在目标图形比较复杂的情况下,收敛效率和优化结果精度方面都不甚理想的问题,通过对衍射光场的有效波前作用规律分析,得出图形中有效影响区域,并经过实验验证。最后修正仅在有效影响区域内进行,这样可以在保证优化结果精度的情况下大大的缩短了修正时间,提高了收敛效率。3.接近式紫外光刻特定图形的修正在对简单的直角特征图形修正的基础上,对具有直角特征的掩模版图形进行逆向的优化,并且由修正直角特征图形受到启发,继而对具有圆弧特征的掩模图形进行逆向的设计与优化,使其转移后的光刻胶图形更加接近原掩模图形。