随着集成电路IC和互联网的快速发展,片上系统SoC已经成为了集成电路设计的主流之一。在超深亚微米工艺VSDM的使用和数据储存的应用需求下,存储器的存储容量和集成度得到迅速提升,但是也增加了存储器晶体管数目,且电路结构设计更为复杂,从而导致存储器更容易出现故障与缺陷。因此,存储器测试成为芯片设计的一个关键过程,需要选择测试时间短、故障覆盖率高的测试方法完成存储器的测试。本文是通过内建自测试MBIST方法来完成存储器的测试,并对March C+算法进行改进,从而提出一种新算法March CS来覆盖原算法不能检测的故障。主要完成以下方面的工作:首先,本文分析存储器的一些可测试性设计方法,选用内建自测试BIST方法完成存储器的测试。并介绍存储器在多个抽象级上的故障状态,以及主要的存储器故障类型。引入存储器故障原语的概念,将存储器静态故障与动态故障通过故障原语表示。然后,阐述存储器常用的测试算法,并对其中March C+测试算法进行改进,通过增加原算法元素的读写操作来敏化存储单元的故障,从而提出一种新算法March CS来覆盖原算法不能检测的故障。March CS算法在检测存储器故障时,可以区别读破坏故障(RDF)与转换故障(TF)的读取状态值,并且改进的March CS算法对存储器的静态故障和动态故障的覆盖更全面,提高故障覆盖率。最后,完成存储器内建自检测MBIST电路的设计,通过MBIST Architect工具对March CS算法进行自定义设计,完成测试算法的电路生成。对memory compile所生成的1024*32位SRAM存储器进行仿真,通过对SRAM进行故障设置,然后敏化存储器的各种故障状态,用ModelSim对新算法进行仿真验证,检测其覆盖率。通过FPGA来对一款低电压低功耗的1024*32位的SRAM芯片进行应用性测试,March CS算法检测静态故障和动态故障的覆盖率分别达到91.67%和76.93%。