多晶硅是电子信息产业和光伏新能源产业的基石。使用改良西门子法生产的多晶硅产量约占全球多晶硅总产量的80%。改良西门子法又称为三氯氢硅氢还原法,其工艺是在还原炉内通入高纯气态三氯氢硅和氢气,使其沉积在作为加热体和沉积中心硅芯上。原生多晶硅无法直接进行物理性能和施主、受主成分检测。根据国家标准GB/T4059-2007和GB/T4060-2007规定,需要在指定位置套取多晶硅样芯,在规定气氛下制成直径10-12mm的区熔单晶样品,然后进行电阻率、导电类型检测并参考GB/T 13389-1992将电阻率换算为基硼、基磷杂质含量。另外,区熔硅棒样品少子寿命作为是原生多晶硅产品金属含量的重要判定标准。然而,实际检测过程中,区熔单晶样品的物理性能经常出现不符合标准规定的情况。论文结合公司生产实践中暴露的问题,开展研究并得出结论:1)电阻率曲线异常的样品只要施主、受主杂质分布符合分凝定律,基磷检测样品为一次区熔获得,其杂质含量可以作为原生多晶硅成分判定依据。2)基磷检测样品电阻率曲线的变化趋势与施主、受主杂质的含量比例有直接关系。应综合考虑导电类型,电阻率进行分析,建议采用净载流子方法计算电阻率。3)对于区熔样品,少子寿命与晶体缺陷之间存在直接相关性。少子寿命是样品制备晶体缺陷与金属杂质含量的综合体现,不能作为原生多晶硅体金属杂质含量判定标准。4)多次区熔将造成基磷检测样品测量结果优于实际施主、受主杂质含量;论文提出了识别多次区熔的方法并通过理论分析对区熔次数对测量结果的影响系数进行了分析。