MEMS技术是二十一世纪迅猛发展的新兴技术,微驱动器是它的核心技术之一。记忆合金薄膜的性能在许多方面优于体材料,因而其在MEMS中有着广泛的应用前景。以硅为基底的记忆合金薄膜微驱动器以其结构简洁、作功能力强、响应快、易于集成化制造等优点,成为微驱动器发展的重要组成部分。本文首先基于文献报道中的实验研究结果,利用Liang-Rogers模型对NiTi形状记忆合金薄膜等温单轴拉伸时的应力-应变曲线进行了模拟,并讨论了薄膜材料组分含量及温度对其拉伸性能的影响。通过模拟结果与实验结果的对比发现,除模拟得到的相变区间稍宽以外,模拟曲线与实验曲线基本一致,表明Liang-Rogers模型基本可以用于粗略的预测形状记忆合金薄膜的单轴拉伸行为。其次,本文运用材料力学的研究方法,在考虑记忆合金薄膜材料非线性的前提下,建立起了NiTi记忆合金薄膜及其硅基片耦合作用的力学控制方程,并用Matlab软件和数值分析中的二分法对NiTi/Si耦合结构的驱动行为进行了研究和数值模拟。结果表明,本文建立的力学模型比较合理,能较好地描述NiTi/Si复合膜在一个完整的热循环过程中的驱动响应趋势。