【摘 要】
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为第三代电力电子器件的代表性产品,兼顾了功率MOSFET的驱动优势和双极型晶体管的导通优势,在高频、高压、大电流等领域有着广泛的
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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作为第三代电力电子器件的代表性产品,兼顾了功率MOSFET的驱动优势和双极型晶体管的导通优势,在高频、高压、大电流等领域有着广泛的应用。作为电力电子装置的关键部件,IGBT的开关特性直接影响着设备的工作状态。而IGBT常常处于高压、强辐射、多粉尘的工作环境中,复杂的工况可能会影响IGBT的工作特性,甚至导致其失效损坏。因此,对IGBT进行可靠的驱动保护就显得尤为重要。本文通过对二极管箝位感性负载下的IGBT开关特性进行研究,分析对IGBT的开关特性产生影响的主要因素,结合IGBT驱动过程中的反馈技术设计了一款大功率数字化智能驱动器。该驱动器根据IGBT开关过程中的特征变化,将IGBT的开通关断过程细化成不同的阶段,并在各阶段采取不同的开关策略,优化IGBT的开关特性。在驱动信号作用于IGBT之前,驱动器会对驱动信号做预处理,避免干扰信号对系统造成不良影响。同时,该驱动器还有针对过流、过压、欠压、过温故障的保护策略,在实施保护动作的同时将故障信号以光纤隔离传输的形式送给功率模块主控端。通过多级VCE检测配合dIC/dt检测,对IGBT的过流故障进行全面的保护。利用栅极电压箝位和有源箝位配合动态栅软开关技术,在主动规避IGBT过压故障的同时也提供了被动箝位保护。最后搭建实验平台对驱动器的性能进行综合测试,通过与传统的驱动保护策略的对比实验,验证了设计产品的稳定性与合理性。
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