随着太赫兹通信技术的迅速发展,太赫兹调制器的发展也迫在眉睫。铁电薄膜由于具备优良的介电性、压电性和铁电性等重要性能,在微波通信领域得到了广泛的应用。本论文首先对硅基ABO3型铁电薄膜在太赫兹频段的介电特性进行了研究,并进一步探讨了铁电薄膜在外场作用下实现对太赫兹波调制的微观机制,为以后制备太赫兹调制器件提供了参考作用。本论文的主要研究结果如下:（1）研究了相同厚度的ABO3型钛酸铅（PbTiO3,PT）和锆钛酸铅（PbZrTiO3,PZT）铁电单层薄膜和钛酸铅/锆钛酸铅（PZT/PT）铁电超晶格薄膜在外加光场作用下的介电可调特性。结果表明,光场对钛酸铅和锆钛酸铅单层铁电薄膜材料介电常数实部的调制深度分别达到了39.42%和69.86%,而光场对锆钛酸铅/钛酸铅超晶格薄膜的介电常数实部的调制度达到174.77%。为了研究光场与薄膜相互作用的内部机制,本论文利用Lorenz-Debye耦合模型研究光场作用下薄膜的晶格动力学特征,表明在光场作用下,铁电薄膜内的电子发生重新分布而导致内建电场,并同时促使了软模的硬化,且振子强度和阻尼系数均得到增大。（2）研究了电场作用下的硅基钛酸钡（BaTiO3,BTO）薄膜在太赫兹频段的介电可调特性,在直流偏置电场的作用下,介电常数实部和虚部的调制度分别达到了57.6%和35.4%。通过BTO薄膜的介电频谱从而分析出BTO薄膜内部的晶格动力学特征,结果表明,随着偏置电场的增大,Ti离子相对于中心位置的偏移量减小,促使了软模的硬化。另外通过比较受光辐照前后的硅基BTO薄膜在电场作用下的介电调制能力,发现外加泵浦光场屏蔽了直流偏置电场对BTO薄膜的作用。（3）研究了光场作用下不同周期结构的硅基钛酸铅/钛酸锶（PbTiO3/SrTiO3,PT/STO）铁电超晶格薄膜对太赫兹波的调制特性。当光功率从0 mW调至450 mW时,PT/STO/Si和（PT/STO）3/Si对太赫兹波强度的调制度分别能达到46.3%和56.2%。对于样品PT/STO/Si,当光功率调至300 mW时,其折射率的变化趋于饱和,表明了光生伏特场的存在。同时内建电场的大小与光生伏特场相等,但方向相反。另外,内建电场能够有效调制折射率的变化与材料优异的电光特性性密切相关。（4）研究了未受光辐照和受光辐照的PT/STO超晶格薄膜对太赫兹波调制深度随正负偏置电场的变化。实验发现,未受光辐照的两组样品在偏置电压的作用下对太赫兹波的调制能力相当微小。但是当这两组受光辐照后,正负偏置电压作用下,样品PT/STO/Si的透射系数出现‘二极管’效应。而样品（PT/STO）3/Si,在正负偏置电压作用下,其对太赫兹波可以实现连续调制。当样品PT/STO/Si和样品（PT/STO）3/Si均在功率为400 mW的外加光场作用下,电场对它们的调制深度分别能达到48.7%和78.5%。