基于可溶液加工Li2CO3和MoSe2量子点的电致发光器件研究

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有机电致发光器件(OLED)和量子点电致发光器件(QLED)因其自主发光,高亮度,高响应速度,超薄可柔性等优势在新型固态照明和平面显示技术受到巨大的关注。其中具有短波发射的紫外(UV)OLED被广泛应用于激发光源、高密度信息存储和生化传感等领域。但由于作为UV OLED电极的氧化铟锡(ITO)与紫外发光材料能级之间存在较高的势垒,严重影响了载流子的注入。本文基于可溶液加工技术,开发了Li2CO3和MoSe2量子点/碳点(QDs/CDs)新型载流子注入材料,通过对ITO电极界面修饰来降低载流子注入势垒,进而制备高性能的UV OLED;同时以MoSe2-QDs/CDs为发光材料制备了QLED。具体研究内容如下:1)溶液法处理的碳酸锂(Li2CO3)-甲酸溶液和Li2CO3-硼酸溶液作为电子注入层用于修饰ITO电极,通过原子力显微镜、X射线/紫外光电子能谱、电流-电压曲线和阻抗谱分析,表明Li2CO3薄膜具有优异的表面形貌和电子特性。使用PBD宽带隙分子作为发光层,组装了高效率倒置结构近紫外OLED。以最佳浓度3mg/ml Li2CO3-甲酸(7 mg/ml Li2CO3-硼酸)作为电子注入层组装的器件最大辐照度为5.24 mW/cm~2(2.28 mW/cm~2),外量子效率(EQE)为2.47%(2.17%)。器件呈现出电致发光(EL)峰值为404-406 nm,半峰宽为52-56 nm的近紫外发光。2)通过液相剥离法合成MoSe2-QDs/CDs胶体溶液,并通过透射电镜、液体荧光测试和荧光寿命测试证实了其优异的光学性能。拉曼光谱、原子力显微镜、扫描电镜和X射线/紫外光电子能谱测量证实了MoSe2-QDs/CDs卓越的薄膜形态和特殊的电子特性。MoSe2-QDs/CDs分别应用于倒置近紫外OLED的电子注入层,传统结构UV OLED的空穴注入层和QLED的发光层。以MoSe2-QDs/CDs为电子注入层(空穴注入层),PBD作为发光层制备倒置UV OLED,其EL峰值为406 nm(392 nm),半峰宽为54 nm(53 nm)。器件的最大EQE为0.65%(1.57%),辐照度为2.32 mW/cm~2@15 V(3.61 mW/cm~2@14 V)。此外,阻抗谱分析表明经UVO处理的MoSe2-QDs/CDs具有较强的空穴注入能力。以MoSe2-QDs/CDs为发光层的器件性能(EQE为0.13%)比以CDs为发光层的器件(EQE为0.18%)略低。然而,就器件稳定性而言,使用MoSe2-QDs/CDs作为发光层的器件具有更长的发光寿命。
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