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随着电子器件的进一步小型化,人们希望出现集数据处理和存储于一体的电子器件,因此稀释磁性半导体进入人们的视野。稀释磁性半导体的应用和研究领域也在不断的拓宽,其在光、电、磁功能集成等新型器件方面具有广阔应用前景并将对信息和自动化工业的发展产生重要的推动作用。利用水热合成法,按不同摩尔比例将SnCl4·5H2O与CS(NH2)2作为反应物,将Co2+掺杂在反应物中,制备出不同形状的SnS2和SnS2掺CO2+稀磁材料;在高温下将制备好的SnS2和SnS2掺Co2+稀磁材料氧化成SnO2和SnO2掺CO2+稀磁材料。应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)等测试手段对SnS2纳米粒子的结构和磁性能进行表征。SnS2掺Co2+稀磁材料在室温下磁性很弱,在低温5K下显示铁磁性;SnO2掺Co2+稀磁材料在室温下是弱铁磁性,在低温5K下是顺磁性。利用水热合成法,将氧化石墨烯(GO)与不同形貌的SnS2按一定质量比混合,制备SnS2/GO的复合材料。应用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、Uv-Vis等测试手段对SnS2/GO的复合材料结构和光性能进行表征。结果显示,SnS2/GO复合材料的光催化效率远高于SnS2,原料质量比GO:SnS2(片状、花状)分别为1:40,1:60的光催化降解甲基橙效率最高,100min大约降解了80%。