【摘 要】
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该文较为全面地概括介绍了VLSI可靠性研究的国内外动态.分析了VLSI MOSFET热载流子退化的物理机理,介绍分析了界面态产生模型,结合实验结果对BSIM2模型进行了验证与修正,建立
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该文较为全面地概括介绍了VLSI可靠性研究的国内外动态.分析了VLSI MOSFET热载流子退化的物理机理,介绍分析了界面态产生模型,结合实验结果对BSIM2模型进行了验证与修正,建立了完整,方便,经济的参数提取系统.修正后的模型与实验结果相吻合;同时也对抑制热载流子效应的措施作了简要的总结.采用所建立的BSIM2模型参数提取系统,微机控制半导体参数测试仪器HP4145对特征尺寸为1.2μm、1.0μm、0.9μm和0.8μm的华晶样片进行参数测试与提取,通过对BSIM2模型模拟的结果与实测数据进行比较发现BSIM2模型中衬底电流对栅偏压的影响未能完全反映,从而导致对VLSI电路热载流子退化模拟的不准确性.对此进行了修正,修正模型的模拟结果与实验结果符合很好.基于MOSFET热载流子退化与时间的幂函数关系,提出了一个方便实用器件退化参数提取算法.达到了对亚微米MOSFET热载流子退化进行预测的目的.这样把可靠性模拟软件BERT与电路模拟软件PSPICE等相结合,即可在VLSI设计的电路验证阶段实热载流子效应的验证,具有深远的影响和实际价值.
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