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基于BP/InGaZnO异质结的隧穿晶体管与结型晶体管的研究
【摘 要】
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现代移动设备与物联网技术发展迅猛,为了制造高分辨率、低功耗、轻薄及低成本的显示器件,金属绝缘半导体场效应晶体管正处于尺寸不断缩放,性能不断提升的过程。然而,在优化晶体管性能的时候却受到电源电压不合理缩放以及复杂的介电工程的限制。在这里,为了能够继续进一步缩放晶体管尺寸及提升其性能,我们设计并制造了基于垂直堆砌的黑磷(BP)/铟镓锌氧(InGaZnO)范德华异质结的隧穿场效应晶体管(TFET)和结型
【出 处】
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湖南大学
【发表日期】
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2021年07期
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