【摘 要】
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该文在介绍了MgB的结构特点、超导性质以及薄膜研究现状的基础上,详细报告了我们使用脉冲激光沉积法在各种基片上进行的MgB薄膜的生长实验.我们共尝试了三种方法:一、三明治
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该文在介绍了MgB<,2>的结构特点、超导性质以及薄膜研究现状的基础上,详细报告了我们使用脉冲激光沉积法在各种基片上进行的MgB<,2>薄膜的生长实验.我们共尝试了三种方法:一、三明治方法.在这个方法中,首先我们在较低的温度(室温~300℃)下,在MgO(100)和Al<,2>O<,3>(R-Plane)基片上生长了不同厚度的B/Mg/B三层结构,然后在400℃~700℃的温度下,30Pa的Ar气氛中原位退火.这个方法虽然没有制备出超导的MgB<,2>薄膜,但是作为初步的尝试,使我们了解了不同条件下Mg和B在脉冲激光沉积实验中的特点.二、一步共溅法.在这个方法中我们使用了单质Mg靶和单质B靶,在高真空条件(~10<-5>Pa)下同时使用两束激光共溅,基片为Al<,2>O<,3>(R-Plane),基片温度控制在240℃~400℃之间.通过改变实验条件,我们得到了导电行为从金属性到半导体性的薄膜.三、两步共溅法.在这个方法中,我们使用了单质Mg靶和烧结MgB<,2>靶,同时使用两束激光共溅.首先在较低的温度(225℃)下,4×10<-6>Pa的真空中,在Al<,2>O<,3>(C-Plane)基片上生长前驱体.随后在600℃~700℃之间,15Pa的Ar气氛下迅速进行原位退火.我们研究了实验条件对薄膜质量影响的规律.通过这种方法我们成功地得到了超导的MgB<,2>薄膜,最高转变温度达35K.
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