【摘 要】
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硅氧氮薄膜（SiOxNy）是硅集成电路中重要的钝化膜和介质膜，并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用。而氮化硅薄膜（SiNx）作为一种表面钝化和绝缘薄膜材料，其优异的物理和化学特
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硅氧氮薄膜（SiOxNy）是硅集成电路中重要的钝化膜和介质膜，并在超大规模集成电路中得到了越来越多的应用。而氮化硅薄膜（SiNx）作为一种表面钝化和绝缘薄膜材料，其优异的物理和化学特性引起了广泛的关注。所以探寻它们是否具有发光的可能性，从而成为合适的硅基发光材料是十分有意义的。 本论文尝试采用双离子束溅射方法，通过改变有关的工艺参数，制备了两种系列的薄膜：SiOxNy薄膜和SiNx薄膜，并且在N2气氛保护下适当对它们进行了不同温度的退火处理，然后进行光致发光（PL）谱的测试，通过XRD，XPS，FTIR等测试手段分析了薄膜的结构和表面状况，并与光致发光的结果进行了对比研究。 光致发光（PL）谱的研究结果表明，在225nm波长的光的激发下，SiOxNy薄膜的主要发光峰位位于600nm（2.06eV）。SiNx薄膜的主要发光峰位位于470nm（2.6eV），520nm（2.4eV）和620nm（2.0eV）。 结合光致发光激发谱（PLE）和薄膜结构以及退火对发光峰位影响方面的分析，对其可能的发光机理进行了初步的探讨。认为所制备的SiOxNy薄膜样品中的发光来源于与N有关的缺陷，并且根据SiNx的能带结构，我们建立了发光模型来解释了各个发光峰的来源。
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