本论文依据多晶硅结构的特点，对多晶硅太阳电池制备的关键技术：多晶硅绒面织构、扩散和表面钝化等进行了研究。 多晶硅有的晶粒上绒面减反射效果较差，多晶硅碱绒面织构的减反射效果不如单晶硅好。酸绒面织构可以改善其减反射效果，通过实验，酸绒面织构表面对波长为400-1000nm的光反射率降低到20％以下，比碱绒面织构多晶硅的反射率小8个百分点。 多晶硅扩散后方块电阻随温度变化比单晶硅更明显，扩散温度较低时多晶硅扩散方块电阻比单晶硅大，温度较高时，多晶硅扩散方块电阻比单晶硅小；800℃氧化后，多晶硅方块电阻比氧化前增加，900℃氧化后方块电阻比氧化前减小，本论文解释了这两种现象。 经过实验发现：采用变温扩散可以改善多晶硅太阳电池性能，最初扩散温度是900—950℃，后一段时间温度是850—870℃。本论文研究了PECVD沉积氮化硅的表面钝化工艺，结合氮化硅减反射膜的特点，对研制多晶硅太阳电池工艺进行了优化，进一步改善了多晶硅太阳电池性能，使多晶硅太阳电池效率达到了14％。