该文主要介绍作者在GaN薄膜缺陷结构对其材料性质影响的研究方向的工作.在GaN材料中存在着大量的缺陷,但与其他III族氮化物比较,GaN在缺陷密度如此大的情况下,其发光、输运等方面仍保持良好性能.因此,缺陷在GaN中所起的作用引起了人们的广泛兴起.由于线位错占据了GaN材料中缺陷的主要部分,因此该文主要分析了线位错在GaN材料中的作用.结构直接影响着材料的基本性质,我们对GaN薄膜的结构分析,主要通过电镜,X光衍射以及光致发光的分析手段进行的.我们对一系列MOCVD生长的未掺杂GaN样品进行了系统的实验测量与分析:通过与衬氏呈不同倾角的五个晶面(0002)、(1011)、(1012)、(1013)、(2021)进行了X射线的摇摆曲线测量.用数值拟和的方法,我们得到了垂直于衬底的晶面的摇摆曲线半峰宽,进而比较并区分不同类型的位错对输运性质的不同影响.结果发现螺位错较刃位错对薄膜的输运性质起着更显著的影响.此外晶体内的位错的相互作用的分析发现,位错的相互作用对材料的输运也有着不可忽视的效果.由于薄膜内存在的位错大多是刃位错,因此,总体的位错密度高低不能判断材料性质的好坏.螺位错的影响应被充分考虑.