ZnO是一种重要的半导体材料,室温下的带隙宽为3.37 eV,激子束缚能高达60 meV。由于其良好的光电性能,可以广泛应用在室温紫外激光器,传感器和光催化等领域。ZnO中存在氧空位、锌间隙等诸多本征点缺陷,对ZnO进行掺杂是改进其性能的方法之一。本文采用水热法制备了La掺杂ZnO粉体,讨论了pH、掺杂量、反应时间对ZnO复合粒子的粒径和形貌的影响,并通过XRD、SEM、EDS、UV-Vis对产物进行表征。结果表明,掺杂La时,出现抑制ZnO生长的现象,得到粒径为20-40 nm的ZnO/La₂O₃复合粉体;由于La³⁺离子的半径比Zn²⁺离子的半径大,当La掺杂进入ZnO晶格中,造成局部晶格的畸变,导致晶胞参数的改变;La掺杂量为3%时提高了ZnO的光催化活性。采用高分子网络法制备了La、Y、Nd对ZnO掺杂的复合粉体,讨论了掺杂量、烧结温度对粒径和形貌的影响,并通过XRD、SEM、TEM、EDS和FT-IR对产物进行表征。结果表明,La、Y、Nd的掺杂对ZnO的生长产生了抑制的作用,复合粒子的粒径随掺杂量的增加而减小,随烧结温度的升高而增大。采用微波法和微波水热法制备纳米ZnO粉体,讨论了pH对微波水热法和传统水热法制备粒子尺寸和形貌的影响,并通过XRD和SEM对产物进行表征。结果表明,微波在合成中具有节能高效的特点,可直接合成形貌均一,粒径为37.8 nm的纳米粒子。采用聚苯胺对ZnO、ZnO/La₂O₃、ZnO/Y₂O₃、ZnO/Nd₂O₃表面修饰制备得到导电复合材料,并通过XRD、SEM进行表征。通过四探针电导率仪测试,ZnO-PANI为2.326 s·m^-1,比掺杂稀土时高一个数量级。