工业的不断发展推动着电力电子行业的进步。电力电子功率开关器件作为电力电子变换器的核心,其性能直接影响到系统整体的效率。以碳化硅器件为代表的新一代宽禁带半导体器件突破了以往硅器件的性能限制,为电力电子变换器向高频化、高性能、高功率密度方向发展提供了可能。其中,功率开关器件的损耗问题是研究变换器的重要问题之一。首先,本文以MOSFET和IGBT的工作特性为基础,分析了基于不同类型半导体开关器件三相逆变电路的损耗计算方法;推导出适用于电机型负载的SVPWM调制方式下三相逆变电路损耗计算过程。其次,对不同类型功率开关器件下三相逆变电路损耗情况进行仿真,验证了SiC器件相比Si器件在损耗方面的优势;对不同开关频率和散热器热阻下三相逆变电路的损耗情况进行仿真,并根据损耗情况设计了符合系统要求的冷却方案。最后,为达到将电力电子器件损耗算法应用于嵌入式实时仿真平台的目的,本文提出了一种计算半导体器件损耗的采样算法,该算法以实际电路可采样信号为基础,通过采样平均方法进行损耗计算;根据新算法中不同采样频率对算法结果准确性和计算速度两方面的影响,对采样算法进行优化,提出了变采样频率算法,该方法可以达到损耗计算的速度和精度双优化。