短波红外（SWIR,一般为700-3000 nm）光谱区域内的光电检测,由于其宽泛的军事和民用应用,如夜视仪、光通信、轨迹探测、环境监测、监视仪、遥感成像等,一直以来都是研究热点,而高性能短波红外光电探测器是激光测距仪、夜视仪、热成像系统、红外数码相机和医疗诊断仪等许多电子和光电子产品的关键部件。目前,市面上大多数短波红外光电探测器是由传统的无机半导体制成的,包括晶体硅、硅锗异质结和Ⅲ-Ⅴ族半导体合金（主要是In Ga As及其相关的异质结）,然而,这些短波红外光电探测器的制造通常需要高质量的外延生长活性材料、昂贵的高真空仪器和复杂的多步制造过程,这使得它们不经济,也阻碍了它们的广泛应用。近年来,基于InAs纳米线（NWs）、Pb S胶体量子点（QDs）和窄带隙有机半导体（OSCs）等新型功能材料的短波红外光电探测器受到了广泛关注,这些光电探测器适用于一些需要柔性的、大面积的或色彩可调性的特殊场合,虽然已经取得了一些成果,但基于纳米线的探测器器件组装困难,以及基于量子点和窄带隙有机半导体的器件低载流子迁移率导致的响应速度慢,仍然限制了它们在许多光电用途上的实际应用。作为上述情况的替代解决方案,基于石墨烯或其他新兴二维（2D）层状材料与传统窄带隙半导体（如砷化镓和锗）的形成的杂化异质结SWIR光电探测器近年来被该领域广泛地研究。最近报道了基于石墨烯/多层Pd Se2/Ge异质结构的短波红外光电探测器,该探测器对短波红外光具有出色的光响应,具有约112.2的偏振灵敏度,初步实现了偏振光学成像。在本文中,我们提出了一种基于多层PtSe2/Ge异质结构的光电探测器阵列,该阵列由1×10器件单元组成,主要工作在短波红外光谱区域,所制备的异质结构具有明显的光伏效应,使器件具有了作为自驱动光电探测器工作的能力。在1550nm的光照下,光电探测器表现出突出的光响应性能,其电流开/关比、响应率、外量子效率和比探测率分别达到1.08×10~3、766 m AW-1、61.3%和1.1×1011 Jones。该器件响应速度快,上升下降时间为54.9μs/56.6μs。由于器件性能的均匀性,光电探测器阵列可以可靠地呈现由短波红外光照射产生的“二极管符号”图像。此外,该光电探测器还成功地集成到短波红外光通信系统中,作为光接收机传输文本信号。从上述结果分析,目前基于该异质结构的光电探测器阵列有很大的潜力用于一些特殊的光电用途,如短波红外图像传感和短距离光信息传递的应用。