近年来,无线通讯和CMOS工艺得到了很大发展,射频集成电路可以用CMOS工艺来实现。在各种无线通讯新技术中,超宽带技术(Ultra-Wide Band,UWB)以其高速率、低功耗的特点受到无线通讯学术界的广泛重视,是一种具有巨大发展潜力的新技术。低噪声放大器是无线接收机的第一级,其良好性能保证了射频前端的正常工作。研究基于CMOS工艺的超宽带低噪声放大器,具有重要理论与实践意义。本文首先对超宽带低噪声放大器的研究现状和CMOS集成电路的特点作了论述。其次,分析了几种常见的输入匹配电路,比较了各电路的优缺点,研究设计了巴特沃斯滤波器作为输入匹配电路。共源共栅结构具有增益大,密勒效应小,结构简单等优点,本文决定将其作为电路主放大结构,然后用基于功耗限制的噪声优化理论推导出了输入MOS管的最优尺寸,并采用级间匹配结构来提高增益降低噪声。为满足宽带需要,电路设计采用了电容耦合负载电路。本文还分别设计了电压偏置电路和电流源电路,以促进低噪声放大器的性能最优化。超宽带低噪声放大器的电源电压为1.5V,采用台积电0.18μmCMOS工艺。用ADS2008软件进行仿真,仿真结果显示：在3～5GHz带宽内,噪声系数低于2.3dB,增益大于12dB,最大增益大于14dB,增益波动小于2.4dB,一分贝压缩点约为-15dBm。输入输出匹配均优于-10dB,功耗为19mW。