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半导体材料Si对Co基三明治膜磁电特性的影响
半导体材料Si对Co基三明治膜磁电特性的影响
来源 :中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 被引量 : 0次 | 上传用户:liongliong482
【摘 要】
:
该文主要研究了分别作为中间层和过渡层的半导体材料Si对Co基三明治膜磁电特性,主要是磁电阻特性的影响.首先,研究人员研究了Si作中间层的Co基三明治膜的磁电特性及Co/Si界面
【作 者】
:
李冠雄
【机 构】
:
中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
:
中国科学院上海冶金研究所 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【发表日期】
:
1999年期
【关键词】
:
Si
Co基三明治膜
磁电特性
半导体材料
磁电阻特性
Co/Si界面扩散
巨磁电阻
磁各向异性
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该文主要研究了分别作为中间层和过渡层的半导体材料Si对Co基三明治膜磁电特性,主要是磁电阻特性的影响.首先,研究人员研究了Si作中间层的Co基三明治膜的磁电特性及Co/Si界面扩散情况.其次,研究人员研究了Si作过渡层对Co/Cu/Co三明治膜巨磁电阻和平面内磁各向异性的影响.
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