SiC材料因为物理和电学特性优异，是制备功率器件很有前途的一种材料。制造SiC功率器件的关键之一，是在SiC衬底上淀积一层低掺杂浓度的厚外延层。为了制造性能优异的SiC功率器件，本文使用VP508设备对4H-SiC厚外延层的生长工艺进行了研究。主要研究进展有：1)SiC的折射率随光波的频率变化而变化，在2000cm-1之后趋于稳定，在频率2000cm-1附近选最近的相邻两峰，使不同峰值对应的SiC的折射率接近。由这种选峰方法计算出来的结果和由SIMS测试的结果相比较，发现其测试偏差较小。2)在4°偏角的4H-SiC衬底上，分别研究了源气体流量和载气流量等工艺条件对外延层厚度的影响。对外延厚外延生长的影响依照重要因素依次为：源气体流量、载气流量、压强、温度。增大源气体流量和减小载气流量，均可以明显地提高外延生长速率。生长温度越高，生长速率越大，外延层的表面形貌越不好，缺陷也越多，压强对于生长率的影响比较小。Si/H保持在0.031%-0.033%时，晶体的半高宽值较好。3)得到了生长厚外延生长相对较优的工艺条件。其中，硅烷流量为39ml/min，C/Si比为1，生长时间2-3小时，载气流量60l/min，温度1580℃，压强75mbar。在该工艺环境下生长的4H-SiC外延层，其表面拥有镜面效果，生长速率10μm/h，表面不均匀性小于1%，半高宽小于30arc sec，质量较好。