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石墨烯具有优异独特的电学、热学和力学性质,在下一代纳米电子器件应用上具有巨大的前景。最近实验发现,h-BN是石墨烯的理想衬底,在graphene/h-BN中,石墨烯十分平整电荷分布均匀。这个体系的一个明显特征是二者存在旋转失配,因此有必要研究具有旋转失配的graphene/h-BN的电子能带,探索在该体系中打开带隙的方法,为其在纳米电子学中的应用提供依据。石墨烯具有异常高的载流子迁移率,其纳米带作为载流子传输通道是石墨烯纳米器件中的一个重要部分。特别地,锯齿型石墨烯纳米条带具有依赖于边缘的自旋分布,