【摘 要】
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本论文在氧化硅薄膜沉积过程中,采用残余气体分析质谱仪,等离子发射光谱仪及朗缪尔静电探针等诊断设备,对以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,氧气为反应气体,Ar为辅助气体沉积制备无机氧化硅薄膜的反应过程,进行实时在线诊断。结合朗缪尔静电探针,四极杆残余气体分析质谱仪以及等离子体发射光谱的诊断,对氧化硅薄膜制备过程中等离子体相中活性粒子的产生途径及反应历程进行推断,提出了可能的成膜粒子及薄膜形成机理。
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本论文在氧化硅薄膜沉积过程中,采用残余气体分析质谱仪,等离子发射光谱仪及朗缪尔静电探针等诊断设备,对以六甲基二硅氧烷(HMDSO)为单体,氧气为反应气体,Ar为辅助气体沉积制备无机氧化硅薄膜的反应过程,进行实时在线诊断。结合朗缪尔静电探针,四极杆残余气体分析质谱仪以及等离子体发射光谱的诊断,对氧化硅薄膜制备过程中等离子体相中活性粒子的产生途径及反应历程进行推断,提出了可能的成膜粒子及薄膜形成机理。具体成果与结论如下：(1)靠近功率电极的等离子体区域为阴极暗区,两极
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