聚硅烷是由特殊σ-共轭结构的Si-Si单键组成的一类高分子聚合物。包括线型聚硅烷和环状聚硅烷两类。聚硅烷因Si原子有3d空轨道，使得主链上的σ-电子广泛离域，因而具有独特的导电性能。聚乙炔是主链具有π-共轭结构的线性聚合物，经过化学或电化学掺杂后，聚乙炔可以形成n-型、p-型的半导体，导电性可以比拟金属的导电性。将环状聚硅烷与聚乙炔有机结合起来对其进行理论研究，有目的地组合配置σ-π离域的各级结构，将对开发新型导电高分子材料具有非常重要的研究意义。本文首先利用Gaussian03程序包在6-31+G*基组下对环状聚硅烷与聚乙炔的共聚物（Si_nC₄）_kk=1⁴；n=3⁶进行几何优化，然后在优化构型下应用ATK程序包，结合非平衡格林函数和密度泛函理论，对实验系统电子导电性能进行了理论计算，得到电流-电压曲线，结果发现：在（Si_nC₄）_k中随着n的增大，体系的导电性能呈逐渐降低的趋势；在（Si_nC₄）_k中随着k的增大，体系的导电性能呈逐渐降低的趋势，这些变化规律可以从传输谱，态密度（DOS）和MPSH态得到解释。因而含有小环聚硅烷的短链分子可以用作良好的半导体材料。同时在（Si_nC₄）_k系统中发现了负微分电阻效应（NDR），并通过传输谱，态密度（DOS）和MPSH态对其形成原因进行了解释。