铌酸锂(LiNbO<,3>)晶体是一种优良的人工晶体,具有很多重要的性质,如电光效应、声光效应、热电效应、压电效应、弹光效应、光折变效应等等,在很多方面具有广泛的应用及前景.最近几年发展起来并迅速成为研究热点的非挥发性全息存储技术、周期极化准相位匹配技术、THz波的产生和控制技术等都使用到铌酸锂晶体.更为重要的是由于铌酸锂在集成光学方面扮演着重要的角色,故它被认为是"光学硅"材料的有力竞争者之一.然而,通常使用的铌酸锂晶体为同成分晶体,其中含有大量的本征缺陷.越来越多的实验结果表明,这些缺陷严重影响了它的物理性能.随着晶体中锂含量的提高,铌酸锂晶体在诸多性能上都有明显的提高.该文就近化学计量比铌酸锂晶体的部分电光性能进行了研究.第一章,我们阐述了工作的背景、目的与意义;第二章,我们介绍了近化学计量比晶片的制备过程及组分检测,成功地完成了3英寸晶片的制备和多晶片的批量处理;第三章,我们就近化学计量比掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能进行了研究,结果表明近化学计量比低掺镁铌酸锂晶体的抗光折变性能在26 MW/cm<2>之上,比同成分纯铌酸锂晶体提高了6个数量级以上;第四章,我们研究了近化学计量比掺铁铌酸锂晶体的光折变性能,近化学计量比单掺铁晶体的响应时间比同成分晶体缩短了一倍,灵敏度提高了2~3倍,耦合系数提高了3~4倍.近化学计量比掺镁掺铁铌酸锂晶体的响应时间达到秒量级;第五章,我们研究了近化学计量比掺铒铌酸锂晶体的发光性能,结果表明Er<3+>在近化学计量比掺镁掺铒铌酸锂晶体中的发光强度比在同成分掺铒铌酸锂晶体中提高了7.2倍.