随着微电子技术的快速发展,集成电路的集成度迅速提高,晶体管作为集成电路的基本单元,其结构尺寸也在不断缩小。MOSFET尺寸的缩小,可以减小器件体积,提高器件性能,降低系统功耗,提高系统的集成度,但同时也会改变器件的物理特性。当MOSFET尺寸缩小到纳米级时,其漏/源区电阻不能和沟道电阻一样符合等比例缩小理论,漏/源区电阻在总电阻中的占比逐渐增大,MOSFET电阻的计算也成为器件研究的热点之一。使用建模法研究MOSFET时,建立简明准确的计算模型,得到物理参数意义明确的解析表达式,对减小漏/源电阻,提高器件性能,优化制造工艺都有重要的作用。本文采用半解析法对浅结MOSFET漏/源区进行建模,深入研究影响器件漏/源区电势及电阻的因素。文章的内容由以下几部分组成:首先,对近些年国内外提出的MOSFET漏/源电阻研究方法,做了详细地分析和总结。并且通过分析具体的计算实例,阐明了这些方法的优点、适用范围和不足之处。其次,针对这些方法的不足,本文采用半解析法对浅结MOSFET漏/源区建模,使用积分方程和傅里叶级数相结合的方法,求解漏/源电阻。根据浅结MOSFET正常工作时的特性,将漏/源区分为感应沟道区和掺杂浓度不连续的扩展电阻区两个部分。其中感应沟道区电阻可作为集总电阻计算,而扩展区电阻则利用半解析法建模求解。根据矩形等效源理论对漏/源扩展区进行分区,建立各个区域的二维电势模型,列出边值问题及各区域间的衔接条件。利用分离变量法求解边值问题,得到各个区域的电势积分表达式,代入衔接条件后,得到一组含有未知函数的待定方程。根据广义傅里叶级数展开法将未知函数展开后,即可得到含有未知系数的方程组。使用MATLAB建立矩阵方程求出未知系数,将求得的未知系数代入方程组中,得到扩展区电势的解析表达式,进而求出MOSFET漏/源扩展区的电阻。最后,验证浅结MOSFET二维漏/源电阻模型。首先在扩展电阻区掺杂浓度相同的情况下,通过对比模型与PDEToolbox作出的电势分布曲线图,证明了该模型的理论和计算过程的正确性。然后改变MOSFET物理参数,得到不同参数下的电阻,通过模型的计算结果和ATLAS仿真结果的对比,证明该模型的准确性。此外本文还深入研究了 MOSFET各个物理参数对漏/源电阻变化趋势的影响。本文在计算MOSFET漏/源电阻时,用广义傅里叶级数将方程展开,从而消去了指数项,使方程中的无穷级数可以运算到任意项,大幅度提高了计算结果的精度。与其他建模计算法相比,该模型最大的优点是可用于求解非同质、结构复杂的漏/源区电阻值。