半导体电子器件是微电子与半导体行业中最基本、最重要的部分之一,在计算机、通信、汽车、科研、国防和消费等方面均有广泛的应用前景。近几年来,随着人工智能与物联网等行业的超高速发展,对半导体电子器件的功能提出了更高的要求。然而,由于传统半导体材料存在性能与加工工艺方面的局限性,难以满足下一代小尺寸、高性能、高灵敏度电子器件的需要。新型二维半导体材料拥有优异的层间结构和物理化学性质,是传承摩尔定律的材料之一,如二硫化锡（Sn S2）材料。Sn S2的禁带宽度约2.2 e V并对可见光有着很高的吸收率,在太阳能电池和场效应晶体管等领域有着充分的研究与运用。尽管二维材料在阻变存储器领域应用广泛,但目前关于Sn S2存储器件的研究工作尚没有过多的探索,阻变机制也不明确。与此同时,Sn S2虽在光电探测器表现出优异的性能,但响应波段较窄,难以实现集成化、小型化。鉴于此,本文主要围绕溶剂热法制备花状、片状两种形貌的Sn S2,并基于Sn S2阻变存储器、Sn S2光电探测器开展研究。主要内容如下:（1）探究了生长工艺对花状、片状Sn S2结晶情况与尺寸形貌的影响。对硫源含量、反应温度与反应时间等工艺参数进行具体探究,得出花状Sn S2的最佳制备条件:硫源含量为12.5 mol,锡源含量为5 mol,反应温度为180℃,反应时间为12 h;片状Sn S2的最佳制备条件:硫源含量为12.5 mol,锡源含量为5 mol,反应温度为200℃,反应时间为12 h。在该条件下,制备出的花状Sn S2与片状Sn S2纯度高、结晶性好且分散均匀。花状Sn S2直径约为3μm,单层厚度达到0.6nm;片状Sn S2尺寸约为30～80 nm,单层厚度约0.62 nm。花状Sn S2与片状Sn S2在紫外光到近红外光（250～850 nm）范围内有很好的响应,其禁带宽度分别约为2.226 e V和2.103 e V。（2）研究了花状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器与片状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器的阻变特性以及阻变机理。发现花状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器与片状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器具有低工作电压,高开关比和高循环次数。其中,片状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器机械耐受性的是花状Cu/PMMA/Sn S2/Ag阻变存储器机械耐受性的10倍,且开关比更高。两存储器件的阻变性能是由于Ag+迁移与Ag导电细丝的产生和断裂,从而使器件处于HRS和LRS,并且器件在高阻态与低阻态时的阻变机制均符合欧姆传导。（3）研究了波长、光功率密度及低温氧等离子处理对花状Sn S2光电探测器和片状Sn S2光电探测器光电特性的影响。发现花状Sn S2光电探测器和片状Sn S2光电探测器在紫外光到近红外光（250～850 nm）显示出良好的宽波段响应特性。在入射光波长为385 nm,光功率密度为10 m W/cm~2的条件下,花状Sn S2光电探测器和片状Sn S2光电探测器的响应度和比探测率分别达到了最大值。经过低温氧等离子处理后,两器件的光电性能明显提升,响应时间变快。