V2O5半导体材料，具有良好的光电学性能，在红外探测器、气敏传感器、湿敏传感器、正极材料等领域有广泛的应用潜能。但纯的V2O5薄膜电阻很大，通过改进制备工艺来降低V2O5薄膜的电阻，以满足不同器件的使用要求。采用钒靶在氩气和氧气中进行反应磁控溅射，在玻璃基体上制备了V2O5薄膜，利用XRD、四探针测试仪、紫外-可见近红外分光光度计、AFM、SEM等对薄膜的结构、光电性能及形貌进行表征和测试，分析了氧氩比和退火工艺对V2O5薄膜的结构和电学性能的影响。此外，设计了V2O5/V/V2O5三层膜结构，来降低V2O5薄膜的电阻。研究了氧氩比、退火温度、退火气氛等对玻璃基体上制备的V2O5薄膜结构和性能的影响，得到制备V2O5薄膜的最佳氧氩比为1.5:25，最佳退火工艺为450℃，保温1h,空气中退火。同时，还研究了V层溅射时间对V2O5/V/V2O5三层膜电学性能的影响，得出当V层溅射时间为25min时，三层膜具有最佳电学性能，其方块电阻为38.5K，TCR为-2.18%K﹣1。此外，还研究了中间层元素对三层膜红外吸收的影响。用W,Ti代替V2O5/V/V2O5三层膜的中间V层，制备出的V2O5/W/V2O5和V2O5/Ti/V2O5三层膜，与V2O5/V/V2O5三层膜的红外吸收特性不同。