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感性耦合放电中离子能量和角度分布的数值模拟研究
【摘 要】
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平面射频感性耦合等离子体源能够在低气压下产生高密度的等离子体,且具有无需外加磁场激励等优点,被广泛应用于半导体芯片处理工艺中。此外,通过在极板表面施加一个射频偏压源,可以实现对极板表面的离子能量分布(Ion Energy Distributions,IEDs)、离子角度分布(Ion Angular Distributions,IADs)以及离子通量的独立控制。其中,射频偏压源控制极板表面的IEDs
【机 构】
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大连理工大学
【出 处】
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大连理工大学
【发表日期】
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2019年01期
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