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超晶格(SrTiO3/ZrO2:8 mol％Y2O3/Ce0.9Gd0.1O2-δ)N电解质的构筑与特性

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【摘 要】

：

利用脉冲激光沉积技术(PLD),在A1203单晶片上依次溅射沉积SrTi03(STO)、ZrO2:8 mol%Y2O3(YSZ)和 Ce0.9Gd0.1O2-δ(GDC),制备周期数 N=1、4、6、10、20的(STO/YSZ/GDC)N电解质,并通过设置不同的激光溅射次数来控制每层电解质的厚度使得(STO/YSZ/GDC)N电解质总厚度为300nm。实验第一部分研究了衬底温度(600℃-750

【作 者】

：

苏海莹 

【机 构】

：

内蒙古大学

【发表日期】

：

2017年06期

【关键词】

：

脉冲激光沉积 超晶格N电解质 衬底温度 

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利用脉冲激光沉积技术(PLD),在A1203单晶片上依次溅射沉积SrTi03(STO)、ZrO2:8 mol%Y2O3(YSZ)和 Ce0.9Gd0.1O2-δ(GDC),制备周期数 N=1、4、6、10、20的(STO/YSZ/GDC)N电解质,并通过设置不同的激光溅射次数来控制每层电解质的厚度使得(STO/YSZ/GDC)N电解质总厚度为300nm。实验第一部分研究了衬底温度(600℃-750℃)对STO/YSZ/GDC电解质样品的微观形貌及电学特性的影响,给出了制备STO/YSZ/GDC电解质

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