应用了目前最先进电子科学技术与信息科学技术的有源相控阵雷达在我国的经济发展以及国防建设中有着广泛的应用。而作为有源相控阵雷达“心脏”的T/R组件经过混合微波集成电路以及单片微波集成电路两个阶段目前已经发展到全单片阶段,更小体积以及更小耗能大大降低了成本并且提高了性能,但是更小的体积以及更加复杂的结构使得T/R组件抗高功率微波干扰的能力大大降低。高功率微波技术的进步使得许多新兴的电子武器被提出,这使得相控阵雷达电子系统面对更加复杂的电磁环境。高功率微波能够进入电子系统并与之发生作用对电子系统或器件的性能造成影响。因此本文的主要目的在于研究高功率微波对相控阵雷达T/R组件的非线性效应,探索高功率微波对相控阵雷达T/R组件的效应机理,获得效应阈值。本文主要首先对有源相控阵雷达T/R组件以及高功率微波非线性效应进行理论研究。在理论研究中,明确了T/R组件的技术要点与技术指标,并对T/R组件中的放大器以及移相器的原理以及技术指标进行深入研究,对高功率微波的非线性压缩效应以及非线性损伤效应的效应原理进行研究。在理论研究的基础上采用注入实验的方法,对Ka波段相控阵雷达T/R组件收发放大芯片以及幅相控制芯片的高功率微波效应进行了研究。研究Ka波段相控阵雷达T/R组件收发放大芯片以及幅相控制芯片的性能指标并且设计了测试夹具,对芯片进行装配并搭建高功率微波效应实验平台。在此基础上,一方面,研究了高功率微波对收发放大芯片的非线性压缩效应,得到收发放大芯片的增益压缩曲线,获得收发放大芯片在高功率微波下的失效阈值。另一方面,研究了高功率脉冲波对Ka波段相控阵雷达T/R组件收发放大芯片以及幅相控制芯片的非线性损伤效应。通过观察高功率脉冲波注入后芯片的指标变化,研究了芯片性能退化的规律特点并获得损伤阈值。根据实验现象和芯片烧毁点来分析收发放大芯片和幅相控制芯片在高功率微波下的损伤机理。