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无线通信产业的发展和移动互联设备的增加对无线通信频段带宽提出了更高的需求,毫米波频段十分可观的资源显得更有吸引力,通信产业的发展同时也促进了毫米波器件的研制。InP基HBT器件作为一类毫米波器件拥有线性度好、高增益、高功率密度、高截止频率、相位噪声低等优点,是光纤通信和无线通信应用领域的重要高频电子器件之一。HBT器件原理与BJT基本一致,先前数类BJT模型仍能够用于HBT器件的参数提取,但是此类模型用于参数提取的准确性低且适用性有限,模型拓扑网络和器件实际物理结构及相关寄生效应无法严格对应,因此开发出针对InP基HBT的准确模型十分必要。本文首先对HBT的发展历程进行概述,比较了不同材料系HBT的优缺点,介绍了HBT器件的工作原理。之后介绍了原本针对BJT进行开发的简单器件模型EM、GP,以及对HBT进行过优化的两类高级模型VBIC和HICUM,重点阐述了专门针对III-V族化合物HBT器件开发的AgilentHBT模型。文章完成了VBIC、HICUM、AgilentHBT三类模型DC–66GHz的模型提取,并在DC、渡越时间、特征频率曲线上比较了三类模型的参数拟合精度,得出相对适用于InP基HBT毫米波亚毫米波段参数提取的模型。在文章最后介绍了利用AgilentHBT模型对InP基HBT器件进行75-110GHz、220-325GHz频段大信号建模的完整流程,并且在直流、电压电容关系、渡越时间、特征频率和S参数上进行了模型准确性的验证。最后在220GHz-325GHz测试数据基础上,对不同因素引发器件稳定性变化过程进行了分析。