由于非化学计量比钨青铜化合物具有的特殊晶体结构以及有趣的电学、光学和超导性能使得它们在各种电子器件、传感器、热线屏蔽材料等方面具有潜在应用前景,在过去的几十年里受到人们广泛的关注。尽管现在大量的研究工作集中在钨青铜的性能和应用方面,但是对于钨青铜的复杂畴结构的系统研究还没有被报道过。本论文主要运用透射电子显微学的相关表征手段对钾钨青铜纳米材料的畴结构进行了系统的分析。同时,由于材料的力学性能对实现其在未来器件上的应用具有至关重要的作用,本论文在后半部分对钾钨青铜纳米材料进行原位弯曲变形的实验观察。在KxWO3纳米材料的结构表征方面的主要成果总结如下：1、在不同的合成条件下分别成功合成了KxWO3纳米棒和KxWO3纳米片,通过初步的电子显微学分析发现纳米棒和纳米片均有更小的纳米单元组成,具有凸凹不平的表面。低温(450℃)时合成的纳米棒结晶较差,而高温(600℃)时合成的纳米片结晶非常好,两种纳米材料的基本结构均具有伪六角对称性,生长方向为[0001]H。2、通过对结晶较好的KxWO3纳米片的X射线衍射的分析,发现由于纳米片中钾和钨离子空位的有序使得纳米片具有单斜的有序超结构。利用选区电子衍射以及高分辨等表征手段对纳米片的结构做进一步系统的研究,发现在有序的单斜超结构相中存在120°有序畴结构。根据空间群的相关知识,这是由于当纳米片从无序的六角相转变为有序单斜相时,失去了[0001]H方向的六次对称性,而材料为了维持在宏观上沿[0001]H方向的六次对称性,在有序的单斜相中会形成120°有序畴。基于电子衍射运动学理论模拟的三种畴变体的复合衍射花样与实验得到的衍射花样完全符合。此外,通过对纳米片截面样品的分析也验证了有序畴结构的存在,并发现纳米片露在外面的面是{0110}H,使得其具有120°台阶状的表面。3、结合纳米棒选区电子衍射花样与高分辨像的分析,发现纳米材料是由更小的纳米单元沿[0001]H//[001]M方向取向附着生长而成,材料中的每个畴变体相当于一个纳米单元。随着合成温度的升高,材料中的离子空位越有序,畴与畴之间的排列也更加有序。因此,在低温下合成的是无序的纳米棒,而高温下合成的是有序的纳米片。在KxWO3纳米材料原位变形方面的主要成果总结如下：1、首次从实验的角度报道了KxWO3纳米棒在弯曲应力下的超弹性形变过程。2、首次原位观察到KxWO3纳米片弹性的各向异性,沿纳米片的生长方向具有很高的弯曲强度,而垂直于生长方向很容易发生断裂,不会发生弹性形变。这种弹性的各向异性与材料结构的各向异性紧密联系。