自旋极化电流注入半导体的研究

来源 :西安电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:aramis_Rose
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本文主要研究了自旋电子从铁磁金属注入半导体。自旋电子能否有效注入半导体是实现半导体电子器件的一个主要问题。由于铁磁金属与半导体的电导率失配,通过欧姆接触的办法,其效率非常低。要提高注入电流自旋极化率,现有的方法是在金属与半导体间夹一自旋相关势垒。金半接触的肖特基势垒被认为是一个可能可行的方法,但是,通过对理论分析与计算,肖特基势垒的厚度是微米数量级,这个厚度电子不能隧穿过势垒。所以肖特基势垒不适宜能用作自旋相关势垒。同时,在金属与半导体中夹一薄的绝缘层,通过模拟计算,证明的确能提高注入自旋电子的极化率。
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